TSM180N03PQ33 RGG
工場モデル | TSM180N03PQ33 RGG |
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メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN |
パッケージ | 8-PDFN (3x3) |
株式 | 212044 pcs |
データシート | TSM180N03PQ33 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 |
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$0.164 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFN (3x3) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 21W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 345 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) |
基本製品番号 | TSM180 |
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